SIR680ADP-T1-RE3

Vishay Semiconductors
78-SIR680ADP-T1-RE3
SIR680ADP-T1-RE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-CHANNEL 80V PowerPAK SO-8

Datenblatt:
ECAD Model:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
CHF 2.53 CHF 2.53
CHF 1.65 CHF 16.50
CHF 1.14 CHF 114.00
CHF 0.951 CHF 475.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.81 CHF 2'430.00
CHF 0.793 CHF 7'137.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
80 V
125 A
2.88 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
43 nC, 55 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 9 ns, 12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 68 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 8 ns, 15 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: N - Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 30 ns, 30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 17 ns, 19 ns
Gewicht pro Stück: 506.600 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiR680ADP n-Kanal-MOSFET (D-S)

Der Vishay SiR680ADP n-Kanal-MOSFET (D-S) ist ein TrenchFET® Gen IV Leistungs-MOSFET mit niedriger RDS-zu-Qg-Gütezahl (FOM). Dieser MOSFET ist für die niedrigste RDS-zu-Qoss-FOM abgestimmt und 100 % Rg- und UIS-getestet. Der SiR680ADP MOSFET wird in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C betrieben. Dieser MOSFET arbeitet bei einer Drain-Quellenspannung von 80 V, einer Gate-Quellenspannung von ±20 V und einem Impuls-Drain-Strom von 125 A. Der SiR680ADP MOSFET wird mit dem PowerPak-SO-8-Gehäuse geliefert. Dieser MOSFET eignet sich hervorragend für den Einsatz in primärseitigen Synchrongleichrichtungs-Schaltern, DC/DC-Wandlern, O-Ring, Netzteilen und Motorantriebssteuerung.

TrenchFET Gen IV MOSFETs

Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen RDS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.

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