SCT4018KW7TL

ROHM Semiconductor
755-SCT4018KW7TL
SCT4018KW7TL

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs TO263 1.2KV 75A N-CH SIC

Datenblatt:
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.
Mehr über
Weitere Informationen zu ROHM Semiconductor SCT4018KW7TL

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
ROHM Semiconductor
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
1 Channel
1.2 kV
75 A
23.4 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
267 W
Enhancement
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 22 S
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Verpackung: MouseReel
Produkt: MOSFET's
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 21 ns
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Transistorpolung: N-Channel
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 13 ns
Artikel # Aliases: SCT4018KW7
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Specification Sheets

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SCT4018KW7 n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

Der ROHM Semiconductor SCT4018KW7 n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit. Der SCT4018KW7 ermöglicht eine einfache Ansteuerung und eine einfache Parallelschaltung. Das Bauelement verfügt außerdem über eine bleifreie Leitungsbeschichtung und ist RoHs-konform. Der SCT4018KW7 N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor eignet sich für Solarwechselrichter, Induktionserwärmung, Schaltnetzteile, DC/DC-Wandler und Motorantriebe.

n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs der 4. Generation

Die Leistungs-MOSFETs der 4. Generation mit N-Kanal aus Siliziumcarbid (SiC) von ROHM Semiconductor bieten niedrige On-Widerstände und eine verbesserte Kurzschlusstoleranz. Die MOSFETs der 4. Generation aus SiC lassen sich einfach parallel schalten und einfach ansteuern. Die MOSFETs zeichnen sich durch schnelle Schaltgeschwindigkeiten/Sperrverzögerung, geringe Schaltverluste und eine maximale Betriebstemperatur von +175°C aus. Die N-Kanal SiC Leistungs-MOSFETs der 4. Generation von ROHM unterstützen eine 15 V Gate-Source-Spannung, die zur Energieeinsparung des Bauelements beiträgt.

Auf Lager: 1’135

Lagerbestand:
1’135 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
39 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Bestellmengen größer als 1135 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.
Lange Lieferzeit für dieses Produkt.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
CHF 24.98 CHF 24.98
CHF 19.01 CHF 190.10
CHF 18.03 CHF 1’803.00
CHF 17.36 CHF 8’680.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
CHF 15.87 CHF 15’870.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.


Haben Sie eine Frage? Bitte besuchen Sie das Hilfecenter.
Bei Fragen zu einer bestimmten Bestellung melden Sie sich bitte bei Ihrem Konto an.

Sollten Sie weitere Probleme haben, kontaktieren Sie uns bitte unter 800-346-6873 oder senden Sie eine E-Mail an help@mouser.com.