F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT-Module

Infineon Technologies F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT-Module verfügen über eine erhöhte Sperrspannungsbelastbarkeit von 650 V und verwenden eine CoolSiC™ Schottky-Diode (gen5). Diese Bauteile basieren auf der TRENCHSTOP™-IGBT5- und PressFIT-Kontakttechnologie. Die F3L200R07W2S5FP IGBT-Module bieten stark reduzierte Schaltverluste und ein Al2O3 -Substrat mit niedrigem thermischen Widerstand. Diese Module verfügen über ein kompaktes Design, das eine robuste Montage durch integrierte Montageklemmen und vorinstalliertes thermisches Schnittstellenmaterial umfasst. Die F3L200R07W2S5FP IGBT-Module eignen sich hervorragend für Motorantriebe, Solarapplikationen, Dreistufen-Applikationen und USV-Systeme.

Ergebnisse: 3
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Produkt Konfiguration Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Sättigungsspannung Kollektor-Emitter Kollektorgleichstrom bei 25 C Kriechstrom Gate-Emitter Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module 650 V, 200 A 3-level IGBT module Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.17 V 200 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 650 V, 200 A 3-level IGBT module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 18
Mult.: 18

Tray
Infineon Technologies F3L200R07W2S5FPB56BPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module 650 V, 200 A 3-level IGBT module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 18
Mult.: 18

Tray