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XPN12006NC,L1XHQ

Name: Toshiba XPN12006NC,L1XHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-XPN12006NCL1XHQ
Price: 1.43 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-XPN12006NCL1XHQ

Herst.- Nr.:

XPN12006NC,L1XHQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs TSON N-CH 60V 20A

Datenblatt:

XPN12006NC,L1XHQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 0.883	CHF 8.83
	CHF 0.595	CHF 59.50
	CHF 0.476	CHF 238.00
	CHF 0.441	CHF 441.00
	CHF 0.433	CHF 1'082.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	CHF 0.379	CHF 1'895.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	23.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	23 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	65 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	33 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Gewicht pro Stück:	20 mg

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Datenblatt

XPN12006NC,L1XHQ Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

XPN12006NC Automotive-U-MOSVIII-H-MOSFETs

Toshiba XPN12006NC Automotive-U-MOSVIII-H-MOSFETs sind gemäß AEC-Q101-qualifiziert und in einem kompakten, dünnen TSON-Gehäuse untergebracht. Der XPN12006NC verfügt über einen niedrigen Drain-Source-On-Widerstand, einen niedrigen Ableitstrom und einen Anreicherungsmodus.

U-MOSVIII-H Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba U-MOSVIII-H Automotive-Leistungs-MOSFETs sind 100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignen. Diese Bauteile zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mit proprietärer Technologie und einem Cu-Steckverbinder aus. Sie verfügen über einen begrenzten Gate-Schwellenspannungsbereich von 2,5 V bis 3,5 V, der die Schaltzeittoleranz reduziert.

Automotive-Bauteile

Toshiba Automotive-Bauteile bietet ein umfangreiches Sortiment an MOSFETs, optischer Isolierung, Transistoren und Dioden für verschiedene Anwendungen in 12 V bis 48 V Batteriesystemen. Darüber hinaus bietet Toshiba automotive-taugliche Motorsteuerungstreiber an. Toshiba Automotive-Bauteile sind nach AEC-Q100 und AEC-Q101 qualifiziert.

AEC-Q101-qualifizierte Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba AEC-Q101-qualifizierten Automotive-Leistungs-MOSFETs sind ein umfangreiches Sortiment von Leistungs-MOSFETs, die verschiedene Fahrzeuganwendungen in Batteriesystemen von 12 V bis 48 V abdecken. Toshiba ist seit den 1960er Jahren im Bereich diskrete Bauteile für die Automotive-Industrie tätig, das in den 1990er Jahren mit Gleichrichtern und Automotive-MOSFETs begann. Mit Leistung und Zuverlässigkeit gehen alle Automotive-Produkte von Toshiba’ über die AEC-Q101-Standards hinaus.