RV7x n-Kanal-MOSFETs mit mittlerer Leistung

ROHM Semiconductor RV7x n-Kanal-MOSFETs im mittleren Leistungsbereich bieten einen niedrigen On-Widerstand und eine ausgezeichnete Wärmeleitung. Der RV7x ist in einem unbedrahteten, extrem kleinen und freiliegenden Drain-Pad-SMD-Kunststoffgehäuse (1,2 mm x 1,2 mm x 0,5 mm) verfügbar. Die RV7x MOSFETs von ROHM sind ideal für Schalt- und Lastschalter-Applikationen mit einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +150°C.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 60V 2A Middle Power MOSFET
Datenblatt
2'630Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3'000

Si SMD/SMT DFN-1212-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 157 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 30V 4A Middle Power MOSFET
Datenblatt
6'000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3'000

Si SMD/SMT DFN-1212-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 4 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel