BAS116LS-Q Diode mit niedrigem Ableitstrom

Die Nexperia BAS116LS-Q Diode mit niedrigem Ableitstrom ist in einem extrem kleinen unbedrahteten DFN1006BD-2(SOD882BD)-SMD-Kunststoffgehäuse (Surface Mounted Device, SMD) untergebracht. Das Gehäuse verfügt über seitenbenetzbare Flanken. Die BAS116LS-Q verfügen über eine Schaltzeit von max. trr = 3 ° s und einen niedrigen Ableitstrom von max. IR = 5 nA.

KEINE ERGEBNISSE GEFUNDEN..
Versuchen Sie Ihren Suchbegriff unten zu ändern oder besuchen Sie unser Help Center.
Suchvorschläge
  • Überprüfen Sie die Schreibung der Einzelteilnummern (Bestellnummern) oder Stichwörter
  • Verwenden Sie weniger oder andere Stichwörter
  • Suchen Sie jeweils nur nach einer Einzelteilnummer
  • Verwenden Sie jeweils nur einen Filter
Produkte und Hersteller
Noch Fragen?