VS-SC SOT-227 SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Vishay Semiconductors VS-SC SOT-227-Siliziumkarbid-Schottky-Barriere-Dioden sind Breitbandlücken-Schottky-Dioden von 650 V / 1.200 V, die für eine hohe Leistungsfähigkeit und Robustheit ausgelegt sind. Die VS-SC SOT-227-Dioden eignen sich hervorragend für hartes Hochgeschwindigkeits-Schalten und eine effiziente Funktion über einen großen Temperaturbereich. 

Arten von diskreten Halbleitern
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Vishay SiC Schottky Dioden SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 120 A
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SiC Schottky Diodes Screw Mount SOT-227
Vishay SiC Schottky Dioden SOT-227 Silicon Carbide Single Phase Bridge, 650V, 90 A
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SiC Schottky Diodes Screw Mount SOT-227
Vishay SiC Schottky Dioden SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 120 A
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Vishay SiC Schottky Dioden SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 160 A
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Vishay SiC Schottky Dioden SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
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Vishay SiC Schottky Dioden SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 240 A
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Vishay Diodenmodule Modules Rectifiers - SOT-227 SiC Diode
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Diode Modules SiC Screw Mount SOT-227-4
Vishay SiC Schottky Dioden SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 80 A
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Vishay SiC Schottky Dioden SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 80 A
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Vishay SiC Schottky Dioden SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 160 A
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Vishay SiC Schottky Dioden SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 200 A
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Vishay SiC Schottky Dioden SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 240 A
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Vishay SiC Schottky Dioden SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 40 A
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SiC Schottky Diodes Screw Mount SOT-227
Vishay SiC Schottky Dioden SOT-227 Silicon Carbide Single Phase Bridge, 650V, 50 A
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