BFR 193 E6327

Infineon Technologies
726-BFR193E6327
BFR 193 E6327

Herst.:

Beschreibung:
HF-Bipolartransistoren NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Verfügbarkeit

Lagerbestand:
Nicht auf Lager
Lieferzeit ab Hersteller:
26 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks.
Lange Lieferzeit für dieses Produkt.
Minimum: 15000   Vielfache: 15000
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.107 CHF 1'605.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Infineon
Produktkategorie: HF-Bipolartransistoren
RoHS:  
BFR193
Bipolar
Si
NPN
8 GHz
70
12 V
2 V
80 mA
- 65 C
+ 150 C
Single
SMD/SMT
SOT-23
AEC-Q100
Reel
Marke: Infineon Technologies
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC): 80 mA
Pd - Verlustleistung: 580 mW
Produkt-Typ: RF Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Artikel # Aliases: BFR193E6327XT SP000011056 BFR193E6327HTSA1
Gewicht pro Stück: 60 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

HF Transistoren von INFINEON

HF Transistoren von Infineon umfassen rauscharme Verstärker und hochlineare Transistoren. Rauscharme Geräte beruhen auf der Silizium-Bipolar-Technologie. Eine moderate Übergangsfrequenz fT <20 GHz gewährleistet Benutzerfreundlichkeit und Stabilität. Die Durchlassspannung sichert die Versorgungsspannung von 5V. Diese Transistoren eignen sich für die Verwendung mit AM VHF / UHF bis zu 14 GHz.

Hochlineare Transistoren bieten OIP3 (Output Intercept Point 3) über 29 dBm. Sie basieren auf der High-Volume Silizium-Bipolar-Technologie und SiGe:C-Technologien von Infineon und gehören zu den Besten der Besten, was die Rauschzahlen betrifft. Die Komponenten eignen sich ideal für Treiber, Vorverstärker und Pufferverstärker.

HF-Lösungen

Die Infineon HF-Lösungen bieten HF-Produkte für zahlreiche Applikationen mit hochleistungsfähigen, kostengünstigen Bauteilen. HF-Lösungen umfassen Transistoren, rauscharme Verstärker, GPS/GLONASS/COMPASS LNA, Schalter, Module und Tuner.
Mehr erfahren