FDMS366xS PowerTrench® Power Stage MOSFETs

onsemi's FDMS366xS PowerTrench® Power Stage MOSFETs include two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in lower switching losses. Integration of the two MOSFETs enables optimum layout for lower circuit inductance and reduced switch node ringing. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
onsemi MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
Datenblatt
13’890Auf Lager
Cut-Tape
CHF 1.82
CHF 0.877
CHF 0.785
CHF 0.624
CHF 0.551
Reel
CHF 0.525
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000
Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 2 Channel 30 V 13 A, 25 A 8 mOhms, 2.6 mOhms 12 V, 20 V 1.1 V 29 nC, 52 nC - 55 C + 150 C 2.2 W, 2.5 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
Datenblatt
3’896Auf Lager
Cut-Tape
CHF 2.44
CHF 1.21
CHF 1.09
CHF 0.877
CHF 0.854
Reel
CHF 0.789
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000
Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 2 Channel 30 V 13 A, 30 A 8 mOhms, 1.8 mOhms 12 V, 20 V 1.1 V 29 nC, 87 nC - 55 C + 150 C 2.2 W, 2.5 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel