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STP65N045M9

Name: STMicroelectronics STP65N045M9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP65N045M9
Price: 6.54 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STP65N045M9

Herst.- Nr.:

STP65N045M9

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Datenblatt:

STP65N045M9 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	55 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	45 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.2 V
Qg - Gate-Ladung:	80 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	245 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	MDmesh M9
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

STP65N045M9 MDmesh M9 Leistungs-MOSFET

Der STP65N045M9 MDmesh M9 Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs entwickelt, die einen sehr niedrigen R_DS(on) pro Fläche aufweisen. Der Baustein verwendet die innovative Super-Junction-Technologie MDmesh M9, die einen Multi-Drain-Herstellungsprozess bietet, der eine verbesserte Bausteinstruktur ermöglicht.

MDmesh™ M9 Leistungs-MOSFETs

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh™ M9 von STMicroelectronics zeichnen sich durch eine verbesserte Bauelementstruktur, einen niedrigen ON-Widerstand und niedrige Gate-Ladungswerte aus. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine hohe Rückwärtsdioden-dv/dt- und MOSFET-dv/dt-Robustheit, eine hohe Leistungsdichte und geringe Leitungsverluste. Darüber hinaus bieten die MDmesh M9-Leistungs-MOSFETs eine hohe Schaltgeschwindigkeit, einen hohen Wirkungsgrad und geringe Schaltleistungsverluste. Diese Leistungs-MOSFETs sind mit der innovativen Hochspannungs-Super-Junction-Technologie ausgelegt, die eine beeindruckende Gütezahl (FoM) liefert. Der hohe FoM ermöglicht höhere Leistungsstufen und eine höhere Dichte für kompaktere Lösungen. Zu den typischen Applikationen gehören Server, Telekommunikations-Rechenzentren, 5G-Kraftwerke, Mikrowechselrichter und Schnell Ladegeräte.