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NSVT5551MR6T1G

Name: onsemi NSVT5551MR6T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVT5551MR6T1G
Price: 0.73 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NSVT5551MR6T1G

Herst.- Nr.:

NSVT5551MR6T1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT NPN GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NSVT5551MR6T1G Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSOT-23-6
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Dual
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	160 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	180 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Pd - Verlustleistung:	700 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	300 MHz
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	NSVT5551M
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom:	600 mA
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	80 at 1 mA, 5 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NSVT5551MR6T1G Datenblatt

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Malaysia

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NSVT5551M Bipolartransistor

Der Bipolartransistor NSVT5551M von onsemi ist ein AEC-Q101-qualifizierter NPN-Allzweckverstärker mit niedriger V_CE(sat). Dieser NPN Bipolartransistor hat passende Chips und arbeitet bei -55 °C bis 150 °C Lagertemperaturbereich. Der NSVT5551M BJT ist bleifrei, halogenfrei, BFR-frei und RoHS-konform. Dieser Transistor wird in der Regel für viele verschiedene Applikationen verwendet.

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NSVT5551MR6T1G

Herst.: onsemi

Beschreibung: Bipolartransistoren - BJT NPN GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER

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