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A2U8M12W3-FC

Name: STMicroelectronics A2U8M12W3-FC
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-A2U8M12W3-FC
Price: 172.46 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-A2U8M12W3-FC

Herst.- Nr.:

A2U8M12W3-FC

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFET-Module ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A

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Datenblatt:

A2U8M12W3-FC Datenblatt (PDF)

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	CHF 172.46	CHF 172.46
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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Press Fit
Verpackung/Gehäuse:	56.7 mm x 48 mm
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Id - Drain-Gleichstrom:	180 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.2 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Tray
Marke:	STMicroelectronics
Höhe:	12.25 mm
Länge:	56.7 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Verpackung ab Werk:	18
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Breite:	48 mm
Gewicht pro Stück:	42 g

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Datenblatt

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PCN

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CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

ACEPACK 2 Leistungsmodul

Das STMicroelectronics ACEPACK 2 Leistungsmodul bietet eine 3-Stufen-Topologie mit NTC und Kapazität. Das Bauteil basiert auf der Siliziumkarbid-Technologie der dritten Generation. Die modulare Lösung von STmicro erreicht komplexe Topologien mit hoher Leistungsdichte und hohem Wirkungsgrad in DC/DC-Wandlerapplikationen.