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GP3D050B170B

Name: SemiQ GP3D050B170B
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3D050B170B
Price: 14.15 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GP3D050B170B

Herst.- Nr.:

GP3D050B170B

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

GP3D050B170B Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	50 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	1.7 kV
Vf - Durchlassspannung:	2.27 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	360 A
Ir - Sperrstrom:	42 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	SemiQ
Pd - Verlustleistung:	789 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung:	1.7 kV

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Datenblatt

GP3D050B170B Datenblatt (PDF)

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

GP3D050B170B QSiC™ 1.700 V SiC-Schottky-Diode

Die GP3D050B170B QSiC™ 1.700 V Siliziumkarbid (SiC) -Schottky-Diode von SemiQ wird in einem TO-247-2L-Gehäuse geliefert, das zur Erfüllung der Größen- und Leistungsanforderungen in Applikationen, wie z. B. Schaltnetzteile, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Solarwechselrichter und Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV) ausgelegt ist. Diese diskrete Diode verfügt über einen Sperrverzögerungsstrom von Null und einen Schaltverlust von nahezu Null sowie ein verbessertes Wärmemanagement, das den Kühlbedarf reduziert. Das Ergebnis sind hocheffiziente Hochleistungsdesigns, die die Wärmeableitung des Systems reduzieren und den Einsatz von kleineren Kühlkörpern ermöglichen, um Platz und Kosten zu sparen. Darüber hinaus unterstützt das Modul GP3D050B170B einfache Parallelkonfigurationen für eine verbesserte Flexibilität und Skalierbarkeit in Leistungsapplikationen. Die GP3D050B170B QSiC 1.700 V SiC-Schottky-Diode von SemiQ unterstützt ein schnelles Schalten über einen Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C.

SiC Schottky Discrete Diodes

SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes feature near-zero switching loss and reduced heat dissipation, increasing efficiency and requiring smaller heatsinks. The SiC Schottky Discrete Diodes are easy to parallel with fast, temperature-independent switching. The SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes are designed for solar inverters, power supplies, motor drives, and charging station applications.