1.200 V TRENCHSTOP™ IGBT6

Infineon Technologies 1.200 V TRENCHSTOP™ IGBT6 sind zur Erfüllung der Anforderungen eines hohen Wirkungsgrades sowie geringen Leitungs- und Schaltverlusten ausgelegt. Diese TRENCHSTOP IGBT6 verfügen über eine niedrige Gate-Ladung, niedrige elektromagnetische Störungen (EMI), eine einfache Parallelfunktion, einen hohen Wirkungsgrad in harten Schaltungen und Resonanz-Topologien. Die TRENCHSTOP IGBT6 kommen mit zwei verschiedenen Produktfamilien auf den Markt und werden als S6-Baureihe, die für niedrige Leitungsverluste optimiert ist und als H6-Baureihe, die für verbesserte Schaltverluste ausgelegt ist, bereitgestellt. Diese IGBT6 sind ein einfacher Plug-and-Play-Ersatz der HighSpeed3-H3-Vorgänger-IGBTs. Der TRENCHSTOP IGBT6 implementiert die Trench- und Fieldstop-Technologie zusammen mit einer antiparallelen Diode für die weiche und schnelle Wiederherstellung. Diese 1200 V TRENCHSTOP IGBT6 erreichen eine einfache Parallelfunktion aufgrund eines positiven Temperaturkoeffizienten in V_CEsat. Typische Applikationen umfassen eine industrielle USV, einen Energiespeicher, einen dreistufigen Solar-Stringwechselrichter und Schweißung.