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LTC4296AUK-1#PBF

Name: Analog Devices Inc. LTC4296AUK-1#PBF
Brand: Analog Devices
SKU: 584-LTC4296AUK-1#PBF
Price: 17.74 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

584-LTC4296AUK-1#PBF

Herst.- Nr.:

LTC4296AUK-1#PBF

Herst.:

Analog Devices

Beschreibung:

Leistungsschalter IC - POE / LAN Power-over-Data_Lines PSE Controller

Datenblatt:

LTC4296AUK-1#PBF Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 13.12	CHF 328.00
	CHF 12.29	CHF 1’229.00
	CHF 11.86	CHF 3’083.60
	CHF 11.58	CHF 6’021.60

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Analog Devices Inc.
Produktkategorie:	Leistungsschalter IC - POE / LAN
RoHS:
Typ:	Power Sourcing Equipment - PSE
Standard:	802.3cg
Betriebsversorgungsspannung:	6 V to 60 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-48
Verpackung:	Tray
Marke:	Analog Devices
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Anzahl der Kanäle:	5 Channel
Betriebsversorgungsstrom:	80 mA
Ausgangsleistung:	52 W, 79 W
Produkt-Typ:	Power Switch ICs - POE / LAN
Serie:	LTC4296-1
Verpackung ab Werk:	260
Unterkategorie:	Switch ICs

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Datenblatt

LTC4296AUK-1#PBF Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Thailand
Land der Verbreitung:: Taiwan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

LTC4296-1 SPoE-PSE-Controller mit 5 Anschlüssen

Analog Devices Inc. Der LTC4296-1 5-Port SPoE PSE Controller ist ein IEEE 802.3cg-kompatibler, fünf Ports umfassender Power-over-Ethernet (SPoE) Power Sourcing Equipment (PSE) Controller. SPoE vereinfacht das Systemdesign und die Installation mit standardisierten Leistungs- und Ethernet-Daten über ein Einzelpaar. Der LTC4296-1 ist für die Interoperabilität mit 802.3cg-powered Bauteilen (PDs) in 24 V- oder 54 V-Systemen ausgelegt. Der LTC4296-1 liefert Leistung mit externen n-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekt-Transistoren (MOSFETs) mit niedrigem Drain-Source-On-Widerstand (R_{DS (ON)}), die den Spannungsabfall minimieren und die Robustheit der Applikation gewährleisten.