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NCV51513ABMNTWG

Name: onsemi NCV51513ABMNTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV51513ABMNTWG
Price: 1.13 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NCV51513ABMNTWG

Herst.- Nr.:

NCV51513ABMNTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Gate-Treiber Automotive 130 V, 2.0/3.0 A High and Low Side Drivers with Dead Time & Interlock

Datenblatt:

NCV51513ABMNTWG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 1.13	CHF 1.13
	CHF 0.819	CHF 8.19
	CHF 0.741	CHF 18.53
	CHF 0.657	CHF 65.70
	CHF 0.617	CHF 154.25
	CHF 0.593	CHF 296.50
	CHF 0.56	CHF 560.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.541	CHF 1'623.00
	CHF 0.518	CHF 3'108.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-10
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	3 A
Versorgungsspannung - Min.:	8 V
Versorgungsspannung - Max.:	19 V
Konfiguration:	Non-Inverting
Anstiegszeit:	9 ns
Abfallzeit:	7 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	NCV51513
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Eingangsspannung – Max:	19 V
Logiktyp:	CMOS, TTL
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	100 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	100 ns
Betriebsversorgungsstrom:	1.8 mA
Ausgangsspannung:	19 V
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	100 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs

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Datenblatt

NCV51513ABMNTWG Datenblatt (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8542391090
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

NCV51513 High- und Low-Side-Treiber

Die NCV51513 High- und Low-Side-Treiber von onsemi sind 130-V-Halbbrückentreiber mit hohen Treiberstromfähigkeiten und Optionen für DC-DC-Netzteile und Wechselrichter. Der NCV51513 bietet eine Laufzeitverzögerung, einen niedrigen Ruhestrom und einen geringen Schaltstrom bei hohen Betriebsfrequenzen. Dieser Baustein ist für hocheffiziente Stromversorgungen mit hohen Frequenzen ausgelegt.