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NTMFS3D6N10MCLT1G

Name: onsemi NTMFS3D6N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS3D6N10MCLT1
Price: 2.82 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS3D6N10MCLT1

Herst.- Nr.:

NTMFS3D6N10MCLT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET

Datenblatt:

NTMFS3D6N10MCLT1G Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.82	CHF 2.82
	CHF 1.85	CHF 18.50
	CHF 1.29	CHF 129.00
	CHF 1.12	CHF 560.00
	CHF 1.05	CHF 1’050.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 1.05	CHF 1’575.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8FL-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	131 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	60 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	136 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTMFS3D6N10MCL
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NTMFS3D6N10MCLT1G Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTMFS3D6N10MCL N-Einkanal-Leistungs-MOSFET

Der NTMFS3D6N10MCL N-Einkanal-Leistungs-MOSFET von Onsemi ist für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung ausgelegt. Dieser MOSFET verfügt über einen niedrigen Drain-zu-Quellenwiderstand (R_DS(on)) zur Minimierung der Leitungsverluste und eine niedrige Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste. Der NTMFS3D6N10MCL MOSFET von Onsemi ist in einem Flat-Lead-Gehäuse mit kleinem Footprint und den Abmessungen 5 mm x 6 mm erhältlich. Typische Applikationen umfassen primäre DC/DC-MOSFETs, synchrone Gleichrichter in DC/DC und AC/DC, Motorantriebe und Schaltnetzteile.