650 V Automotive-E-Modus-Gan-Transistoren

Infineon Technologies 650 V Automotive-E-Modus-Gan-Transistoren ermöglichen einen hohen Strom, einen Spannungsdurchschlag und eine Schaltfrequenz. Die Transistoren von Infineon Technologies verfügen über die patentierte Island Technology®und GaNPX ® -Gehäuse. Das Zellenlayout von Island Technology ermöglicht Hochstrom-Chip und hohe Erträge. Das GaNPX-Gehäuse ermöglicht eine niedrige Induktivität und einen niedrigen thermischen Widerstand in einem kleinen Gehäuse. Die GS-065-060-5-T-A Transistoren sind auf der Oberseite gekühlt und bieten einen niedrigen thermischen Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand für anspruchsvolle Hochleistungsapplikationen. Diese Funktionen bieten zusammen eine Leistungsschaltung mit hohem Wirkungsgrad.  Der GS-065-060-5-B-A ist ein Transistor mit Kühlung auf der Unterseite, der einen niedrigen thermischen Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand für anspruchsvolle Hochleistungsapplikationen bietet.