NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Handelsname Verpackung
Texas Instruments MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18511KTT Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 194 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19505KTT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 76 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs 20V Dual N ch MOSFET A 595-CSD85302L A 5 A 595-CSD85302L Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-4 N-Channel 2 Channel 20 V 7 A 24 mOhms - 10 V, 10 V 680 mV 6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel