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NGWx Trench-Field-Stop-IGBTs
Die Trench-Field-Stop isolierte Gate-Bipolartransistoren (IGBTs) NGWx von Nexperia verfügen über Technologie der dritten Generation und kombinieren Trench-Gate-Strukturen mit Ladungsträger-Speicherung und Field-Stop-Strukturen (FS). Die IGBTs sind für Temperaturen bis zu 175 °C ausgelegt und bieten optimierte Ausschaltverluste bei einer Kurzschlussfestigkeit von 5 μs. Diese IGBTs mit 600 V und 30 A für das Hard-Switching sind für Hochspannungs- und Niederfrequenz-Applikationen in industriellen Wechselrichtern und Servomotorantrieben optimiert.