NTMFSS0D9N03P8

onsemi
863-NTMFSS0D9N03P8
NTMFSS0D9N03P8

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 30V PT8 IN 5X6 SOURCE DOWN PACKAGE

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
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Datenblatt:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TDFN-9
N-Channel
1 Channel
30 V
294 A
1 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
127 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 49.5 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 19.3 ns
Serie: NTMFSS0D9N03P8
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 125.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 20.4 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Konformitätscodes
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Taiwan
Herstellungsland:
Philippinen
Land der Verbreitung:
Taiwan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NTMFSS0D9N03P8 n-Kanal-MOSFET

Der onsemi NTMFSS0D9N03P8 n-Kanal-MOSFET ist ein Einzelquellen-Abwärts-MOSFET, der über einen niedrigen RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten und eine niedrige QG und Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten verfügt. Dieser n-Kanal-MOSFET wird mit einer Drain-Source-Spannung (VDS) von 30 V, einer Gate-Source-Spannung (VGS) von ±20 V und einem Drainstrom von 294 A betrieben. Der NTMFSS0D9N03P8 MOSFET wird in einem Gehäuse von 5 mm x 6 mm mit Abwärtsquellen- und Center-Gate-Design zur Verbesserung der Leistungsdichte, des Wirkungsgrads und der thermischen Leistungsfähigkeit angeboten. Dieser n-Kanal-MOSFET ist bleifrei, halogen-/BFR-frei und RoHS-konform. Der NTMFSS0D9N03P8 MOSFET eignet sich hervorragend für O-Ring, Motorantriebe, Leistungslastschalter und DC/DC.

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