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NTMFSS0D9N03P8

Name: onsemi NTMFSS0D9N03P8
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFSS0D9N03P8
Price: 2.25 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFSS0D9N03P8

Herst.- Nr.:

NTMFSS0D9N03P8

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 30V PT8 IN 5X6 SOURCE DOWN PACKAGE

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTMFSS0D9N03P8 Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 2.25	CHF 2.25
	CHF 1.46	CHF 14.60
	CHF 1.05	CHF 105.00
	CHF 0.875	CHF 437.50
	CHF 0.753	CHF 753.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.753	CHF 2’259.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TDFN-9
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	294 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	127 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	125 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	49.5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	19.3 ns
Serie:	NTMFSS0D9N03P8
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	125.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20.4 ns

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Datenblatt

NTMFSS0D9N03P8 Datenblatt

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTMFSS0D9N03P8 n-Kanal-MOSFET

Der onsemi NTMFSS0D9N03P8 n-Kanal-MOSFET ist ein Einzelquellen-Abwärts-MOSFET, der über einen niedrigen R_DS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten und eine niedrige Q_G und Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten verfügt. Dieser n-Kanal-MOSFET wird mit einer Drain-Source-Spannung (V_DS) von 30 V, einer Gate-Source-Spannung (V_GS) von ±20 V und einem Drainstrom von 294 A betrieben. Der NTMFSS0D9N03P8 MOSFET wird in einem Gehäuse von 5 mm x 6 mm mit Abwärtsquellen- und Center-Gate-Design zur Verbesserung der Leistungsdichte, des Wirkungsgrads und der thermischen Leistungsfähigkeit angeboten. Dieser n-Kanal-MOSFET ist bleifrei, halogen-/BFR-frei und RoHS-konform. Der NTMFSS0D9N03P8 MOSFET eignet sich hervorragend für O-Ring, Motorantriebe, Leistungslastschalter und DC/DC.