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STP80N1K1K6

Name: STMicroelectronics STP80N1K1K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N1K1K6
Price: 1.93 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STP80N1K1K6

Herst.- Nr.:

STP80N1K1K6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

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Datenblatt:

STP80N1K1K6 Datenblatt (PDF)

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 1.93	CHF 1.93
	CHF 1.24	CHF 12.40
	CHF 0.851	CHF 85.10
	CHF 0.677	CHF 338.50
	CHF 0.635	CHF 635.00
	CHF 0.577	CHF 1'154.00
	CHF 0.563	CHF 2'815.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET verwendet MDmesh K6-Technologie und basiert auf 20 Jahren Erfahrung im Bereich der Superjunction-Technologie. Der STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET bietet einen erstklassigen Einschaltwiderstand auf der Fläche und Gate-Ladung. Das Bauelement ist ideal für leistungsstarke Dichte und effiziente Applikationen.

MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 von STMicroelectronics sind durch Zener-Dioden geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch eine Mindest-Drain-Source-Durchschlagspannung von 800 V, eine Gate-Source-Spannung von ±30 V und eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C aus. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 zeichnen sich außerdem durch eine maximale Dioden-Erholungs-Spannungsteilung von 5 V/ns, eine maximale Dioden-Erholungs-Stromteilung von 100 A/µs und eine MOSFET-dv/dt-Robustheit von 120 V/ns aus. Typische Anwendungen sind Notebooks und AIOs, Sperrwandler, Netzteile für Tablets und LED-Beleuchtung.