BD2320EFJ-LAE2

ROHM Semiconductor
755-BD2320EFJ-LAE2
BD2320EFJ-LAE2

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 3.5A 100 V VB HIGH AND

Lebenszyklus:
NRND:
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Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
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Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 2.05 CHF 2.05
CHF 1.54 CHF 15.40
CHF 1.40 CHF 35.00
CHF 1.25 CHF 125.00
CHF 1.19 CHF 297.50
CHF 1.15 CHF 575.00
CHF 1.12 CHF 1'120.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 1.07 CHF 2'675.00
5'000 Kostenvoranschlag
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Isolated Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
HTSOP-8
2 Driver
2 Output
4.5 A
7.5 V
14.5 V
Non-Inverting
8 ns
6 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: ROHM Semiconductor
Entwicklungs-Kit: REF66009
Eingangsspannung – Max: 14.5 V
Eingangsspannung – Min: 7.5 V
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 50 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 50 ns
Betriebsversorgungsstrom: 160 uA
Ausgangsspannung: 7.5 V to 14.5 V
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 27 ns
Abschaltung: No Shutdown
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Artikel # Aliases: BD2320EFJ-LA
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Ausgewählte Attribute: 0

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USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

BD2320EFJ-LA High-Side- und Low-Side-Treiber

Der ROHM Semiconductor BD2320EFJ-LA High-Side- und Low-Side-Hochfrequenztreiber ist ein High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber mit einer maximalen Spannung von 100 V, der einen externen n-Kanal-FET mit der Bootstrap-Methode ansteuern kann. Der BD2320EFJ-LA von ROHM Semiconductor enthält eine 100-V-Bootstrap-Diode und eine unabhängige Eingangssteuerung für die High- und Low-Side. Für die Schnittstellenspannung sind 3,3 V und 5,0 V verfügbar Die Unterspannungssperrschaltungen sind in der High-Side und Low-Side integriert.