Siliziumkarbid(SiC)-Bauteile

IXYS Siliziumkarbid(SiC)-Bauteile eignen sich hervorragend für Applikationen, bei denen eine Verbesserung des Wirkungsgrads, der Zuverlässigkeit und des Wärmemanagements erforderlich ist. IXYS/Littelfuse konzentriert sich auf die Entwicklung von Siliziumkarbid-Halbleiterbauteilen mit der höchsten verfügbaren Zuverlässigkeit.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
IXYS SiC Schottky Dioden Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc
Datenblatt
90Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount SOT-227B-4 Dual 105 A 1.2 kV 1.6 V 1.15 kA 140 uA - 40 C + 150 C Tube
IXYS SiC Schottky Dioden Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc
Datenblatt
5Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount SOT-227B-4 Dual 44 A 1.2 kV 1.5 V 1.15 kA 35 uA - 40 C + 150 C Tube
IXYS SiC Schottky Dioden Power Diode Disc-Schottky ISOPLUS247
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 30
Mult.: 30

Through Hole ISO247-3 Series 22 A 1.2 kV 1.5 V 750 A 30 uA - 40 C + 150 C Tube
IXYS SiC Schottky Dioden Power Diode Disc-Schottky ISOPLUS247
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 30
Mult.: 30

Through Hole ISO247-3 Series 31.7 A 1.2 kV 1.5 V 1 kA 35 uA - 40 C + 150 C Tube
IXYS SiC Schottky Dioden Power Diode Disc-Schottky ISOPLUS247
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 30
Mult.: 30

Through Hole ISO247-3 Dual Anode Common Cathode 22 A 1.2 kV 1.5 V 750 A 30 uA - 40 C + 150 C Tube
IXYS SiC Schottky Dioden Power Diode Disc-Schottky ISOPLUS247
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 30
Mult.: 30

Through Hole ISO247-3 Dual Anode Common Cathode 31.7 A 1.2 kV 1.5 V 1 kA 35 uA - 40 C + 150 C Tube
IXYS SiC Schottky Dioden Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 100
Mult.: 100

Screw Mount SOT-227B-4 Dual 73 A 1.2 kV 1.5 V 1.15 kA 70 uA - 40 C + 150 C Tube