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SIA466EDJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA466EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIA466EDJ-T1-GE3
Price: 0.9 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIA466EDJ-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIA466EDJ-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

Datenblatt:

SIA466EDJ-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SC-70-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	25 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	9.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	20 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	19.2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	SIA
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

SIA466EDJ-T1-GE3 Datenblatt

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Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

TrenchFET Gen IV MOSFETs

Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen R_DS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.

SiA466EDJ n-Kanal 20V (D-S) MOSFET

Der Vishay SiA466EDJ ist ein 20V (D-S) n-Kanal-MOSFET, der unter Verwendung des SC-70-Gehäuses mit einem Footprint von 2,05mm x 2,05mm entwickelt wurde. Er verfügt über den typischen ESD-Schutz von 2.500V und ist R_g geprüft. Der SiA466EDJ wird typischerweise für Smartphones, mobile Computer, DC-DC-Wandler, Energiemanagement und Lastschalter verwendet.
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Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten.

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	CHF 0.901	CHF 0.90
	CHF 0.417	CHF 4.17
	CHF 0.37	CHF 37.00
	CHF 0.285	CHF 142.50
	CHF 0.27	CHF 270.00
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	CHF 0.228	CHF 1’368.00
	CHF 0.204	CHF 1’836.00
	CHF 0.198	CHF 4’752.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

SIA466EDJ-T1-GE3

Herst.: Vishay Semiconductors

Beschreibung: MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

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