EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRT)

onsemi EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRTs) sind so konzipiert, dass sie ein einzelnes Bauelement und dessen externes Widerstands-Vorspannungs Netzwerk ersetzen. Die Vorspannungswiderstands-Transistoren (BRTs) integrieren einen einzelnen Transistor mit einem monolithischen Vorspannungsnetzwerk, das aus zwei Widerständen, einem Basiswiderstand und einem Basis-Emitterwiderstand besteht. Diese BRTs eliminieren diese einzelnen Bauelemente, indem sie in einem einzigen Bauteil integriert werden. Die EMD4DXV6 Transistoren weisen eine Kollektor-Basis-Spannung von 50 V _DC auf, eine Kollektor-Basis-Spannung von 50 V _DC sowie einen Kollektorstrom von 100 mA _DC. Diese Transistoren unterstützen einen Sperr- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C.