Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

R8011KNXC7G

Name: ROHM Semiconductor R8011KNXC7G
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8011KNXC7G
Price: 4.72 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-R8011KNXC7G

Herst.- Nr.:

R8011KNXC7G

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 11A 3rd Gen, Fast Switch

Datenblatt:

R8011KNXC7G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu ROHM Semiconductor R8011KNXC7G

Auf Lager: 1’750

Lagerbestand:: 1’750 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 18 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 4.72	CHF 4.72
	CHF 2.51	CHF 25.10
	CHF 2.29	CHF 229.00
	CHF 2.10	CHF 1’050.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220FM-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	11 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	450 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	37 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	65 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	JP
Abfallzeit:	25 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	25 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	70 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns
Artikel # Aliases:	R8011KNX

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

R8011KNXC7G Datenblatt

Specification Sheets

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

R8011KNX N-Kanal 800 V 11 A Leistungs-MOSFET

Der R8011KNX N-Kanal 800V 11A Power MOSFET von ROHM Semiconductor ist ein Bauelement mit niedrigem Einschaltwiderstand und schnellem Schaltverhalten. Der R8011KNX verfügt über eine Pb-freie Beschichtung und ist RoHS-konform. Die MOSFETs werden parallel verwendet, was einfach zu handhaben ist.