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FDT4N50NZU

Name: onsemi FDT4N50NZU
Brand: onsemi
SKU: 863-FDT4N50NZU
Price: 1.54 CHF
Availability: InStock

Mouser-Nr.:

863-FDT4N50NZU

Herst.- Nr.:

FDT4N50NZU

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs UNIFET II 3OHM SOT223

Datenblatt:

FDT4N50NZU Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 0.961	CHF 9.61
	CHF 0.659	CHF 65.90
	CHF 0.523	CHF 261.50
	CHF 0.483	CHF 483.00
	CHF 0.452	CHF 904.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 4000)
	CHF 0.452	CHF 1'808.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.5 V
Qg - Gate-Ladung:	9.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	FDT4N50NZU
Verpackung ab Werk:	4000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

FDT4N50NZU Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FDT4N50NZU UniFET-II-MOSFET

Der onsemi FDT4N50NZU UniFET-II-MOSFET ist ein Hochspannungs-MOSFET, der auf der fortschrittlichen Planar-Streifen- und DMOS-Technologie basiert. Der MOSFET verfügt über einen kleinen Einschaltwiderstand beim planaren MOSFET. Er bietet eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Avalanche-Energiestärke. Dank einer internen Gate-Source-ESD-Diode widersteht der UniFET-II-MOSFET einer Stoßbelastung von über 2 kV HBM.