NX5020x n-Kanal-Anreicherungsmodus-FETs

Nexperia NX5020x n-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekt-Transistoren (FETs) sind in einem kompakten SOT-323(SC-70)- oder TSSOP-6(SOT-363)-Gehäuse erhältlich. Der NX5020UNBKW von Nexperia ist ein einzelner FET, während der NX5020UNBKS ein doppelter FET ist. Diese Bauteile haben eine sehr niedrige Schwellenspannung und bieten durch die Nutzung der Trench-MOSFET-Technologie ein extrem schnelles Schalten. Bei beiden handelt es sich um Bauteile zur Oberflächenmontage (SMD) in einem Kunststoffgehäuse.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Nexperia MOSFETs NX5020UNBKS/SOT363/SC-88
Datenblatt
2’304Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3’000

Si SMD/SMT TSSOP-6 N-Channel 2 Channel 50 V 480 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 950 mV 600 pC - 55 C + 150 C 860 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs NX5020UNBKW/SOT323/SC-70
Datenblatt
2’009Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3’000

Si SMD/SMT TSSOP-6 N-Channel 2 Channel 50 V 480 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 950 mV 600 pC - 55 C + 150 C 860 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel