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IXTA380N036T4-7-TR

Name: IXYS IXTA380N036T4-7-TR
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA380N036T47TR
Price: 3 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTA380N036T47TR

Herst.- Nr.:

IXTA380N036T4-7-TR

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs IXTA380N036T4-7 TRL

Datenblatt:

IXTA380N036T4-7-TR Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	36 V
Id - Drain-Gleichstrom:	380 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 15 V, 15 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	260 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	480 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchT4
Verpackung:	Reel
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	80 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	105 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	78 ns
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	125 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	36 ns
Gewicht pro Stück:	1.600 g

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Datenblatt

IXTA380N036T4-7-TR Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

TrenchT4™ N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der Littelfuse TrenchT4™ n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein Avalanche-eingestufter Anreicherungstyp-MOSFET mit hoher Strombelastbarkeit und einem niedrigen Drain-Source-On-Widerstand von 1 mΩ. Dieser MOSFET mit hoher Leistungsdichte ist in einem TO-263-Standardgehäuse (7-Pin) erhältlich. Mit einem maximalen Betriebstemperaturbereich von +175 °C ist der TrenchT4 MOSFET für den Einsatz in DC/DC-Wandlern, Offline-USV, primärseitigen Schaltern und Hochstrom-Schaltapplikationen ausgelegt.