NIV1x ESD-Entstörerelemente/TVS-Dioden
Die ESD-Entstörerelemente/TVS-Dioden NIV1x von onsemi sind zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen von ESD sowie Kurzschluss-zu-Fahrzeugbatterie-Situationen ausgelegt. Diese Dioden zeichnen sich durch eine extrem geringe Kapazität und eine niedrige ESD-Klemmspannung aus. Die Dioden NIV1x sind eine ideale Lösung für den Schutz spannungsempfindlicher Hochgeschwindigkeitsdatenleitungen, während der FET mit niedrigem RDS(on) die Verzerrung auf den Signalleitungen begrenzt. Diese Dioden von onsemi umfassen integrierte MOSFETs mit Kurzschluss-zu-Batterie-Blockierung und Kurzschluss-zu-USB-V-Bus -Blockierung. Die ESD-Entstörerelemente NIV1x arbeiten bei einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C, einer Drain-Source-Spannung von 30 V und einer Gate-Source-Spannung von ±10 V. Diese Dioden eignen sich hervorragend für Hochgeschwindigkeits-Signalpaare bei Fahrzeuganwendungen, USB 2.0 und Low-Voltage Differential Signaling (LVDS).
