NGTB25N/NGTB40N Bipolare isolierte Gate-Transistoren

Die onsemi NGTB25N und NGTB40N isolierten bipolaren Gate-Transistoren (IGBT) verfügen über eine robuste und kostengünstige Ultra-Field-Stop-Trench-Konstruktion. Durch ihre niedrigen Schaltverluste und eine extrem schnelle Freilaufdiode eignen sie sich hervorragend für Hochfrequenz-Solar-, USV- und Inverterschweiß-Anwendungen. In diesen Geräten ist eine sanfte und schnelle Freilaufdiode mit einer geringen Durchlassspannung integriert.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung

onsemi IGBTs IGBT, Ultra Field Stop -1200V 40A
Datenblatt
1'141Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 80 A 454 W - 55 C + 175 C NGTB40N120FL3 Tube

onsemi IGBTs IGBT, Ultra Field Stop - 1200V 25A
Datenblatt
276'120Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 50 A 349 W - 55 C + 175 C NGTB25N120FL3 Tube