DMN601WKQ n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET

Die n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs DMN601WKQ von Diodes Inc. sind gegen elektrostatische Entladungen (ESD) geschützt und bieten eine schnelle Schaltgeschwindigkeit. Diese MOSFETs verfügen über einen niedrigen On-Widerstand (RDS(ON)), eine niedrige Schwellwertspannung, eine niedrige Eingangskapazität und einen niedrigen Eingangs-/Ausgangsableitstrom. Die Einstufung der Feuchtigkeitsempfindlichkeit von diesen MOSFETs beträgt 1 gemäß J-STD-020. Die DMN601WKQ MOSFETs sind PPAP (Produktionsteil-Abnehmverfahren)-fähig und nach AEC-Q101 qualifiziert. Diese MOSFETs sind frei von Blei, Antimon und Halogen und sind in einem S0T323-Gehäuse erhältlich.

Ergebnisse: 2
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
Diodes Incorporated MOSFETs 2N7002 Family
Datenblatt
8'892Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 10'000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 65 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 2N7002 Family
Datenblatt
8'782Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3'000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 65 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel