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BM60213FV-EVK001

Name: ROHM Semiconductor BM60213FV-EVK001
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BM60213FV-EVK001
Price: 20.11 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-BM60213FV-EVK001

Herst.- Nr.:

BM60213FV-EVK001

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Isolation Gate Driver, High 1.2kV DC, Low Not Isolated, 75ns, 3A Output Current

Datenblatt:

BM60213FV-EVK001 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung
RoHS:
Produkt:	Evaluation Boards
Typ:	Gate Driver
Eingangsspannung:	15 V
Tool für die Evaluierung von:	BM60213FV-C
Marke:	ROHM Semiconductor
Verpackung:	Bulk
Produkt-Typ:	Power Management IC Development Tools
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Development Tools

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Datenblatt

BM60213FV-EVK001 Datenblatt (PDF)

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USHTS:: 8542390090
TARIC:: 8473302000
ECCN:: EAR99

BM60213FV-EVK001 Evaluierungsboard

Das ROHM Semiconductor BM60213FV-EVK001 Evaluierungsboard steuert SiC-Leistungsbauteile an und ist zur Evaluierung eines BM60213FV-C Treibers ausgelegt. Der BM60213FV-C IC ist ein Hochspannungs-High-Side- und Low-Side-Treiber, der im Bootstrap-Betrieb mit bis zu 1.200 V arbeitet. Dieser IC bietet eine integrierte Unterspannungssperre (UVLO) als Schutzfunktion für die Stromversorgung bei potenzialfreier High-Side-Versorgungsspannung (V_CCA) und Low-Side-Versorgungsspannung (V_CCB). Das Evaluierungsboard BM60213FV-EVK001 von ROHM Semiconductor ist mit Logikeingangsspannungen von 3,3 V und 5 V kompatibel. Dieses Evaluierungsboard steuert außerdem IGBT-Leistungsbauteile für High-Side und Low-Side auf Halbbrücken-Applikationen an.

Automotive-Gate-Treiber-Evaluierungsboards

Die Automotive-Gate-Treiber-Evaluierungsboards von ROHM Semiconductor sind Demonstrationsboards, die zur Vereinfachung der Entwicklung von Applikationen, die auf den Automotive-Gate-Treibern von ROHM basieren, ausgelegt sind. Die Automotive-Gate-Treiber von ROHM Semiconductor basieren auf einem einzigartigen Mikroherstellungsprozess zur Herstellung eines kernlosen On-Chip-Transformators. Diese Technologie ermöglicht kompakte, robuste und zuverlässig isolierte Gate-Treiber, die für den Einsatz mit SiC(Siliziumkarbid)-Leistungs-MOSFETs optimiert sind und eine optimierte Lösung für Leistungsschaltungsdesigns in Industrie- und Fahrzeuganwendungen bieten.