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TK095N65Z5,S1F

Name: Toshiba TK095N65Z5,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK095N65Z5S1F
Price: 5.6 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK095N65Z5S1F

Herst.- Nr.:

TK095N65Z5,S1F

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

TK095N65Z5,S1F Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	29 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	95 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	50 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	230 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	40 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	95 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	75 ns

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Datenblatt

TK095N65Z5,S1F Datenblatt (PDF)

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Product Catalogs

Selection Guide 2025 - MOSFETs

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.

TK095N65Z5 n-Kanal-Silizium-MOSFET (DTMOSVI)

Der Toshiba TK095N65Z5 n-Kanal-Silizium-MOSFET (DTMOSVI) ist ein 650 V, 95 mΩ Hochgeschwindigkeits-MOSFET in einem TO-247-Gehäuse. Der TK095N65Z5 wurde für den Einsatz in Schaltspannungsreglerapplikationen entwickelt und bietet eine schnelle Recoveryzeit (115 ns typisch) und einen niedrigen Drain-Source-on-Widerstand (0,079Ω typisch). Dieser MOSFET bietet Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit einer niedrigen Kapazität.