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RD3U041AAFRATL

Name: ROHM Semiconductor RD3U041AAFRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3U041AAFRATL
Price: 1.81 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RD3U041AAFRATL

Herst.- Nr.:

RD3U041AAFRATL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 250V(Vdss), 4.1A(Id), (10V Drive)

Datenblatt:

RD3U041AAFRATL Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 1.81	CHF 1.81
	CHF 1.16	CHF 11.60
	CHF 0.785	CHF 78.50
	CHF 0.627	CHF 313.50
	CHF 0.593	CHF 593.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.52	CHF 1'300.00
	CHF 0.513	CHF 2'565.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	250 V
Id - Drain-Gleichstrom:	4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.3 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.5 V
Qg - Gate-Ladung:	8.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	29 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	15 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	14 ns
Serie:	RD3
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	18 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Artikel # Aliases:	RD3U041AAFRA
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Datenblatt

RD3U041AAFRATL Datenblatt

Specification Sheets

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RD3U041AAFRA n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 250 V und 4 A

Der n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 250 V und 4 A der Baureihe RD3U041AAFRA von ROHM Semiconductor verfügt über einen niedrigen Einschaltwiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeiten. Mit einfachen Antriebsschaltungen und einer Drain-Quellenspannung von 250 V eignet sich der RD3U041AAFRA für Schaltapplikationen. Der RD3U041AAFRA n-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM mit 250 V und 4 A ist ein Automobilstandard-MOSFET, der AEC-Q101-qualifiziert ist.