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LSIC1MO170E0750

Name: IXYS LSIC1MO170E0750
Brand: IXYS
SKU: 576-LSIC1MO170E0750
Price: 6.73 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

576-LSIC1MO170E0750

Herst.- Nr.:

LSIC1MO170E0750

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

SiC-MOSFETs TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC

Datenblatt:

LSIC1MO170E0750 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.7 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	6.2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	13 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	60 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	IXYS
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Serie:	LSIC1MO
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC

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Datenblatt

LSIC1MO170E0750 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

LSIC1MO170E0750 n-Kanal-SiC-MOSFET

Der IXYS LSIC1MO170E0750 ist ein 750-mΩ-n-Kanal-Silizium-Carbid-MOSFET, der für Applikationen mit hoher Spannung, hoher Frequenz und hohem Wirkungsgrad optimiert ist. Aufgrund des niedrigen Gate-Widerstands und des extrem niedrigen Einschaltwiderstands eignet sich dieses Bauteil hervorragend für Hochfrequenz-Schaltapplikationen. Dieses Bauteil verfügt über eine extrem niedrige Gate-Ladung und Ausgangskapazität sowie Normal-Aus-Betriebsabläufe bei allen Temperaturen. Der LSIC1MO170E0750 von IXYS eignet sich für eine große Auswahl von Applikationen, die eine Hochfrequenzschaltung verwenden, wie z. B. Schaltnetzteile, Solarwechselrichter, USV-Systeme, Hochspannungs-DC/DC-Wandler und vieles mehr.

SiC-MOSFETs

Littelfuse SiC-MOSFETs sind für hocheffiziente Hochfrequenzapplikationen optimiert. Diese robusten SiC-MOSFETs sind in einem TO-247-3L-Gehäuse erhältlich und bieten einen extrem niedrigen On-Widerstand. Littelfuse bietet intern entwickelte und hergestellte SiC-MOSFETs mit extrem niedriger Gate-Ladung und Ausgangskapazität, branchenführender Leistungsfähigkeit und Robustheit bei allen Temperaturen und mit extrem niedrigem On-Widerstand. Jetzt als 80mOhm-, 120mOhm- und 160mOhm-Versionen mit 1.200 V verfügbar.