R60/R65 N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die R60/R65 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor bieten einen Einkanal-Ausgang mit 600 V oder 650 V Drain-Source-Spannung in TO-220FM-3/SOT-223-3-Gehäusen. Die R60/R65 MOSFETs verfügen über eine Betriebstemperatur von -55°C bis 150°C/155°C und Verlustleistungsoptionen von 7,8 W, 6,6 W, 12,3 W, 9,1 W, 40 W, 46 W, 48 W,, 53 W,, 74 W 68 W oder 86 W. Die R60/R65 N-Kanal-Leistungs-MOSFETs eignen sich hervorragend für Schaltapplikationen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 66A N-CH MOSFET
Datenblatt
974Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 20A N-CH MOSFET
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5’813Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 196 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 155 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 650V 66A N-CH MOSFET
Datenblatt
581Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 650V 183A N-CH MOSFET
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594Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 183 A 60 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 76 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET
Datenblatt
8’034Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 155 C 53 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 15A N-CH MOSFET
Datenblatt
2’894Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 4A N-CH MOSFET
Datenblatt
3’803Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 980 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 155 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 15A N-CH MOSFET
Datenblatt
3’429Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 155 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 7A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’972Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 11A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’938Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 9A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’727Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 4A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’986Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET
Datenblatt
3’953Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 7A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’966Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET
Datenblatt
3’941Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 30A N-CH MOSFET
Datenblatt
2’430Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’964Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET
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680Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 20A N-CH MOSFET
Datenblatt
916Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 196 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 4A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’959Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 10 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’638Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 30A N-CH MOSFET
Datenblatt
3’955Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V 4 V 85 nC - 55 C + 155 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 9A N-CH MOSFET
Datenblatt
3’689Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 155 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’933Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms - 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube