NX6008NBK N-Kanal-Trench-MOSFETs
Die NX6008NBK N-Kanal-Trench-MOSFETs von Nexperia sind für schnelle Schaltvorgänge ausgelegt und zeichnen sich durch eine niedrige Schwellenspannung aus. Diese MOSFETs arbeiten mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V (VDS), einer maximalen Gate-Source-Spannung von 8 V (VGS) und einem Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C (Tj). Die NX6008NBK-MOSFETs werden in Applikationen wie Relaistreibern, Hochgeschwindigkeitsleitungstreibern, Low-Side-Lastschaltern und Schaltkreisen eingesetzt.
