DE150 HF-Leistungs-MOSFETs

IXYS DE150 HF Leistungs-MOSFETs bieten Hochleistungsdichte und werden mit dem fortschrittlichen_{Low-Q-g-Prozess} von Littelfusehergestellt. Diese N-Kanal-MOSFETs im Anreicherungsmodus sind in zwei Varianten erhältlich. DE150-102N02A verfügt über 1.000 V Durchschlagspannung, 9,4 Ω maximalen Einschaltwiderstand, 2,5 V bis 4,5 V GATE -Schwellenspannung und Hochgeschwindigkeitsschalten bei Frequenzen bis zu 30 MHz. DE150-501N04A bietet 500 V Durchschlagspannung, 1,5 Ω maximalen Einschaltwiderstand, 2,5 V bis 4 V GATE -Schwellenspannung und Hochgeschwindigkeitsschalten bei Frequenzen bis zu > 100 MHz. Beide Typen werden in einem flachen SMD-Stromversorgungspaket 6-lead geliefert, das über ein elektrisch isoliertes Pad auf der Unterseite verfügt, um eine effiziente Wärmeableitung zu ermöglichen. Das Gehäuse ist für eine einfache Montage konzipiert, und es sind keine Isolierungen erforderlich. IXYS DE150 HF Leistungs-MOSFETs sind bleifrei, RoHs-konform und bieten eine maximale virtuelle Sperrschichttemperatur von +125 °C.