RH7G04CBKFRATCB

ROHM Semiconductor
755-RH7G04CBKFRATCB
RH7G04CBKFRATCB

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
Neu von diesem Hersteller.
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 3'000

Lagerbestand:
3'000 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
16 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 1.74 CHF 1.74
CHF 1.12 CHF 11.20
CHF 0.771 CHF 77.10
CHF 0.653 CHF 326.50
CHF 0.57 CHF 570.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.483 CHF 1'449.00
CHF 0.477 CHF 4'293.00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
ROHM Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
5 mOhms
20 V
2.5 V
19.1 nC
- 55 C
+ 175 C
62 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 9..3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 11 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 10.5 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 41.7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 14.3 ns
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RH7G04CBKFRA P-Ch-Leistungs-MOSFET

Der P-Ch-Leistungs-MOSFET RH7G04CBKFRA von ROHM Semiconductor ist gemäß AEC-Q101 für Automobilanwendungen qualifiziert, einschließlich Infotainment, Beleuchtung, ADAS und Karosserie. Das Bauelement bietet eine Drain-Source-Spannung von 40 V und einen kontinuierlichen Drainstrom von ±40 A. Der MOSFET RH7G04CBKFRA von ROHM ist in einem DFN-8-Gehäuse erhältlich.

125 °C I2C-BUS-EEPROMs für 2-Draht-Automotive

Die 125 °C I2C-BUS-EEPROMs für 2-Draht-Fahrzeuganwendungen von ROHM Semiconductor sind AEC-Q100-qualifiziert. Die I2C-BUS-EEPROMs von ROHM verfügen über zwei Ports serieller Takt (SCL) und serieller Daten (SDA), über die alle Steuerungen verfügbar sind. Die EEPROMs werden in einem großen Bereich von 1,7 V bis 5,5 V mit einem möglichen 1 MHz-Betrieb betrieben.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.