RGS30TSX2DHR und RGS30TSX2HR AEC-Q101-IGBTs
Die RGS30TSX2DHR und RGS30TSX2HR AEC-Q101 Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM Semiconductor sind 10µs SCSOA (Short Circuit Safety Operating Area) garantierte Bipolartransistoren mit isoliertem Gate, die sich für den allgemeinen Wechselrichtereinsatz in Automotive- und Industrieapplikationen eignen. Die RGS30TSX2DHR und RGS30TSX2HR bieten einen geringen Leitungsverlust, der zu einer geringeren Größe und einem verbesserten Wirkungsgrad beiträgt. Diese Bauelemente nutzen die originale Trench-Gate- und Thin-Wafer-Technologie. Mithilfe dieser Technologien kann eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) mit reduzierten Schaltverlusten erzielt werden. Diese IGBTs bieten höhere Energieeinsparungen in einer Vielzahl von Hochspannungs- und Hochstrom-Applikationen.
