RB098BGE Schottky-Barriere-Dioden

Die RB098BGE Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor  sind hochzuverlässige, leistungsgeformte Bauteile. Die RB098BGE zeichnet  sich durch eine besonders niedrige IR-Strahlung und einen gemeinsamen Kathoden-Doppeltyp aus. Darüber hinaus verfügt das Bauteil über eine epitaktische planare Struktur aus Silizium.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
Technologie
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter RECT 60V 6A SM SKY BARRI
Datenblatt
2'359Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 6 A 60 V 830 mV 50 A 1.5 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter RECT 30V 3A SM SKY BARRI
Datenblatt
2'490Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 6 A 35 V 720 mV 50 A 1.5 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter RECT 40V 3A SM SKY BARRI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 6 A 45 V 770 mV 50 A 1.5 uA + 150 C Reel