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MCGWF085P10-TP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MCGWF085P10-TP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MCGWF085P10-TP
Price: 0.19 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

833-MCGWF085P10-TP

Herst.- Nr.:

MCGWF085P10-TP

Herst.:

Micro Commercial Components (MCC)

Beschreibung:

MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,DFN3333-8(SWF)

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

MCGWF085P10-TP Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Micro Commercial Components (MCC)
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN3333-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	16 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	102 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	44.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	56.8 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Marke:	Micro Commercial Components (MCC)
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	31 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	42 ns
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	91 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns

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Datenblatt

MCGWF085P10-TP Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

P-Channel MOSFETS

Micro Commercial Components (MCC) P-Channel Medium Power MOSFETS feature a low on-resistance (RDS) range from 0.013Ω to 0.52Ω and a high voltage version up to 800V. These MOSFETs utilize advanced trench MOSFET process technology in a wide range of surface-mount packages, including SOT, DFN, SOP, and Dpak. The P-Channel MOSFETs have an operating temperature range from -55°C to 150°C or 175°C.

MCGWF085P10 Power MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) MCGWF085P10 Power MOSFET is a -100V (V_DS) P-channel MOSFET engineered to deliver high performance in compact power systems. This MOSFET is built with Trench MV MOSFET technology and features a high-density cell design for ultra-low R_DS(on), reducing conduction losses for efficient operation. The MCGWF085P10 MOSFET offers good thermal performance and a total gate charge of 44.4nC, making it well-suited for fast switching in high-frequency applications. This compact power MOSFET features a total power dissipation of 56.8W and is housed in a DFN3333-8 (SWF) surface-mount package. The MCGWF085P10 MOSFET is suitable for applications that require efficient switching and power handling in compact designs, such as DC-DC converters, load switches, and battery-powered devices.