Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

IXFH46N65X2W

Name: IXYS IXFH46N65X2W
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH46N65X2W
Price: 8.3 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFH46N65X2W

Herst.- Nr.:

IXFH46N65X2W

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IXFH46N65X2W Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu IXYS IXFH46N65X2W

Auf Lager: 551

Lagerbestand:: 551 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 29 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 8.30	CHF 8.30
	CHF 6.49	CHF 64.90
	CHF 5.41	CHF 649.20
	CHF 4.81	CHF 2'453.10
	CHF 4.29	CHF 4'375.80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	46 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	69 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.5 V
Qg - Gate-Ladung:	90 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	660 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	24 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	21 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	53 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	28 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IXFH46N65X2W Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET

Der IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET von IXYS ist ein HiPerFET ™ 650 V-Leistungs-MOSFET der X2-Klasse, der mit dem Ladungskompensationsprinzip und der proprietären Prozesstechnologie ausgelegt ist. Dieser n-Kanal-Leistungs-MOSFET zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand und niedrige Gate-Ladungen zusammen mit einer überlegenen dv/dt-Leistung aus. Der IXFH46N65X2W MOSFET verfügt über eine hohe Leistungsdichte und die Avalanche-Fähigkeit verbessert die Robustheit des Bauteils. Zusätzlich zur schnellen Soft-Recovery-Bodydiode trägt der Ultra-Junction-MOSFET zur Reduzierung von Schaltverlusten und elektromagnetischen Störungen (EMI) bei. Der IXFH46N65X2W MOSFET wird in Schaltmodus- und Resonanzmodus-Netzteilen, DC/DC-Wandlern, PFC-Schaltungen, AC- und DC-Motorantrieben, Robotik- und Servosteuerungsapplikationen verwendet.

Elektrofahrzeug DC-Schnelladegeräte

Die Ladelösungen für das elektrische Fahrzeug (EV) von Littelfuse umfassen Off-Board-DC-Schnellladegeräte. Die EV-Ladelösungen von Littelfuse ermöglichen Designern die Auswahl der richtigen Lösung, um zu gewährleisten, dass die EV-Ladeeinheiten funktionstüchtig und sicher sind.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.