BSM300D12P2E001

ROHM Semiconductor
755-BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET-Module 300A SiC Power Module

Datenblatt:
ECAD Model:
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: MOSFET-Module
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
300 A
- 6 V, + 22 V
2.7 V
- 40 C
+ 150 C
1.875 kW
BSMx
Bulk
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Dual
Abfallzeit: 65 ns
Höhe: 15.4 mm
Länge: 152 mm
Produkt-Typ: MOSFET Modules
Anstiegszeit: 70 ns
Verpackung ab Werk: 4
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Typ: SiC Power Module
Regelabschaltverzögerungszeit: 250 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 80 ns
Vr - Sperrspannung: 1.2 kV
Breite: 62 mm
Gewicht pro Stück: 444.780 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541590000
USHTS:
8541590080
JPHTS:
854159000
TARIC:
8541590000
MXHTS:
8541500100
BRHTS:
85415020
ECCN:
EAR99

Siliziumkarbid-Bauteile (SiC)

Die Siliziumkarbid-Leistungselemente von ROHM Semiconductor liefern eine 10-fache dielektrische Durchbruchfeldstärke, eine 3x größere Bandlücke, und die 3-fache Wärmeleitfähigkeit im Vergleich zu konventionellen Silizium-Lösungen. Dies ermöglicht geringere Schaltverluste, einen geringeren ON-Widerstand, und eine höhere Betriebstemperatur. Das Ergebnis sind eine geringere Verlustleistung und kleinere Module. Außerdem benötigen Designer weniger Bauteile, was die Komplexität der Entwicklung weiter reduziert.

SiC-Leistungsmodule

Die SiC-Leistungsmodule von ROHM Semiconductor sind SiC-Halbbrückenmodule mit einem SiC-MOSFET und SiC-SBD in einem einzigen Gehäuse. Diese Module unterstützen den Hochfrequenzbetrieb durch verringerte Schaltverluste. Das optimierte Design reduziert die Streuinduktivität im Vergleich zu bestehenden Lösungen. Und um eine übermäßige Wärmeerzeugung zu verhindern, werden Modelle vom Typ E mit einem zusätzlichen Thermistor angeboten.

BSM300D12P2E001 SiC Power Module

ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001 SiC Power Module is a half-bridge module consisting of a Silicon Carbide DMOSFET and a Silicon Carbide Schottky Barrier Diode. ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001 SiC Power Module is designed for motor drives, inverter/converters, photovoltaics, energy harvesting, and induction heating equipment. It has low surge, low switching loss and high-speed switching are possible.

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