High Speed Trench & Fieldstop IGBTs

Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs use TrenchStop™ and Fieldstop technology to provide superb switching performance, very low VCEsat, and low EMI. Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs are ideal for uninterruptible power supplies applications. The IGW25N120H3 IGBT is recommended in combination with SiC Diode IDH15S120 and is also used for solar inverter applications. The IKW15N120H3, IKW30N60H3, and IKW20N60H3 IGBTs are each part of a high speed DuoPack and come with a very soft, fast recovery anti-parallel diode.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung

Infineon Technologies IGBTs 600V 30A 187W
Datenblatt
5'888Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 60 A 187 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
Datenblatt
418Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.05 V - 20 V, 20 V 30 A 217 W - 40 C + 175 C HighSpeed 3 Tube

Infineon Technologies IGBTs 600V 40A 306W
Datenblatt
235Auf Lager
240erwartet ab 26.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 80 A 306 W - 40 C + 175 C HighSpeed 3 Tube

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
Datenblatt
51Auf Lager
240erwartet ab 05.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.05 V - 20 V, 20 V 30 A 217 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT4 Tube

Infineon Technologies IGBTs 600V 20A 170W
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 40 A 170 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube