CGHV14800F

MACOM
941-CGHV14800F
CGHV14800F

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt

ECAD Model:
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MACOM
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
Screw Mount
440117
N-Channel
150 V
24 A
- 3.8 V
- 40 C
+ 100 C
Marke: MACOM
Entwicklungs-Kit: CGHV14800F-TB
Verstärkung: 14 dB
Maximale Betriebsfrequenz: 1.4 GHz
Mindestbetriebsfrequenz: 1.2 GHz
Ausgangsleistung: 800 W
Verpackung: Tray
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 10
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung: - 10 V to 2 V
Gewicht pro Stück: 71 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CGHV14800 GaN-HEMT

Der Wolfspeed CGHV14800F 800W-GaN-HEMT (Gallium-Nitrid-High-Electron-Mobility-Transistor) ist für einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Gain und eine große Bandbreite ausgelegt. Der CGHV14800F GaN-HEMT eignet sich hervorragend für L-Band-Radarverstärkerapplikationen von 1,2 GHz bis 1,4 GHz, wie etwa Flugsicherungsradar (Air Traffic Control, ATC), Wetterradar, Durchdringungsradar, Radar von Raketenabwehrsystemen, Zielverfolgungsradar und Langstrecken-Überwachungsradar. Der CGHV14800F GaN-HEMT wird in der Regel mit 50 V betrieben und liefert einen Drain-Wirkungsgrad von mehr als 65 %. Dieses Bauteil wird in einem 440117-Keramik-/Metall-Flansch-Gehäuse geliefert.