CoolMOS™ CM8 650 V Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V-Leistungs-MOSFETs sind gemäß dem Superjunction (SJ)-Prinzip ausgelegt, um geringe Schalt- und Leitungsverluste zu bieten. Diese MOSFETs eignen sich aufgrund der Kommutierungsrobustheit des Bauteils für hart- und weichschaltende Topologien. Die CoolMOS™ CM8 650 V-MOSFETs verfügen über ein schnelles Design-In durch eine niedrige Überschwingungstendenz und Verwendung über die PFC- und PWM-Stufen. Diese MOSFETs ermöglichen ein vereinfachtes Wärmemanagement durch eine fortschrittliche Befestigungstechnologie. Die CoolMOS™ CM8 650 V-MOSFETs sind RoHs-konform und gemäß JEDEC-Standards vollständig für Industrieapplikationen qualifiziert. Zu den typischen Applikationen gehören LLC-Resonanzwandler, KI-Server, Telekommunikations-Netzteile und Rechenzentren.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Datenblatt
674Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Datenblatt
663Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 127 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Datenblatt
953Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 101 A 25 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Datenblatt
1’317Auf Lager
720Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 116 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 521 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Datenblatt
185Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 116 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 521 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Datenblatt
566Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 40 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Datenblatt
68Auf Lager
240erwartet ab 02.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 70 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Datenblatt
345Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 60 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 52 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Datenblatt
83Auf Lager
240erwartet ab 16.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Datenblatt
2’250erwartet ab 23.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 270 A 8 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.249 kW Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Datenblatt
2’000erwartet ab 08.10.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 134 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Datenblatt
1’500erwartet ab 06.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 40 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape