Dual-n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 80 V
Der onsemi Dual-n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 80 V ist in in einem Flat-Lead-Gehäuse von 5 mm x 6 mm erhältlich, das sich hervorragend für kompakte und effiziente Designs eignet. Das 80-V-Bauteil verfügt über einen RDS(on) von 6,9 mΩ (Drain-Source-Einschaltwiderstand) zur Reduzierung von Leitungsverlusten. Der MOSFET verfügt über eine benetzbare Flankenoption für eine verbesserte optische Inspektion. Darüber hinaus ist das Bauteil AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig, wodurch es sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignet.
